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东京理工大学Shigehisa Arai教授来半导体所交流

2019-08-16

应(ying)半导体(ti)所所纳(na)米(mi)光电子(zi)实验室宋国峰(feng)研究员(yuan)的邀(yao)请, 2019812日上午,东(dong)京(jing)理(li)工大学的(de)Shigehisa Arai教授来半(ban)导体所进行学(xue)术交流,并在黄昆半导体(ti)科学(xue)技术论坛上作(zuo)第344期(qi)报告。

交流会上,Shigehisa Arai教(jiao)授作(zuo)了题为“GaInAsP/InP Long-wavelength Lasers for In-plane Photonic Integrated Circuits”的(de)学术报告,系统(tong)地介绍了用于平面光子集(ji)成电路的(de)GaInAsP/InP长波激(ji)光器,对动态单模激(ji)光器(DSM)、交叉光开(kai)关(guan)、量(liang)子线激光器(QW)、分(fen)布反(fan)馈式(shi)激光(guang)器(DFB)等进行了精辟的(de)阐(chan)述,发表了自己独(du)到的(de)见解,并与在座的(de)20余名博士和硕士研究生进行了热烈的(de)讨论和交流,使大家受(shou)益(yi)匪浅(qian)。

此外,半导体所宋国峰研究员(yuan)、徐(xu)云研究员(yuan)、黄永箴(zhen)研究员(yuan)与Shigehisa Arai教(jiao)授进(jin)行了(le)座谈,大(da)家感谢他在百忙之(zhi)中来(lai)半导体所(suo)作学(xue)(xue)术报告并(bing)进(jin)行学(xue)(xue)术交流,希望双方(fang)能进(jin)一步加强(qiang)合作,不(bu)断促(cu)进(jin)我所(suo)与东京理工大(da)学(xue)(xue)的友好合作关(guan)系

 

 



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