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法国蒙彼利埃大学Eric Tournié教授来半导体所交流

2019-07-15

 

应半导体所(suo)所(suo)材(cai)料重点(dian)实(shi)验室刘峰奇研究员的邀请,2019年(nian)712日(ri),法国蒙彼利埃大(da)学(IES, Université de Montpellier, CNRS, F-34000 Montpellier, France)的Eric Tournié教授来半导体(ti)所进行学术交流(liu),并在黄昆半导体科(ke)学(xue)技术(shu)论(lun)坛上作(zuo)第(di)343期报(bao)告。

交流会上,Eric Tournié教授作了题(ti)目为 Antimonide-based devices: the infra-red optoelectronics toolbox”的学术(shu)报告,系统地介绍了以锑化物为基础(chu)的光电(dian)子(zi)器件,对InAs/AlSb长波和短(duan)波量子级联激光器、GaInSb/InAs带间级联(lian)激(ji)光器以及InAs/GaSb二类超晶(jing)格探测(ce)器、硅基材料生(sheng)长等进行了精辟的阐(chan)述,发表了自己独到的见解,并与在座(zuo)的30余名博士(shi)和(he)硕士(shi)研究生进(jin)行了热烈(lie)的讨(tao)论和(he)交流,使大(da)家受益匪(fei)浅。

此外,半导体(ti)所刘峰奇(qi)研究员、王利军研究员、卓(zhuo)宁副研究员与Eric Tournié教(jiao)授进(jin)行了座谈,大家感(gan)谢他在百忙之中来半导体所(suo)作(zuo)学术报告并进(jin)行学术交流(liu),希(xi)望双方能(neng)进(jin)一步(bu)加强合作(zuo),不断(duan)促进(jin)我(wo)所(suo)与蒙彼利埃大学的友好合作(zuo)关系。

  

        



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