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所长致辞

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1956年(nian),在(zai)我国十二年(nian)科(ke)学技(ji)术发(fa)展远景(jing)规划中,半(ban)导体(ti)科(ke)学技(ji)术被列为(wei)当时国家新技(ji)术四大紧急(ji)措(cuo)施之一。为(wei)了创建中国半(ban)导体(ti)科(ke)学技(ji)术的研究(jiu)发(fa)展基地,国家于(yu)1960年(nian)9月(yue)6日(ri)在(zai)北京(jing)成立海立方官网(wang)手机版(ban)研究(jiu)所(suo)(suo)(以下简称(cheng)“半(ban)导体(ti)所(suo)(suo)”),开(kai)启了中国半(ban)导体(ti)科(ke)学技(ji)术的发(fa)展之路。

建所(suo)60多年来,半(ban)导(dao)(dao)体(ti)所(suo)在我国(guo)(guo)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)科技发(fa)(fa)展(zhan)的(de)各个历史阶段(duan)都曾做出过重大贡献,研(yan)(yan)制出中国(guo)(guo)第一(yi)只锗晶体(ti)管、硅(gui)(gui)平面晶体(ti)管、半(ban)导(dao)(dao)体(ti)固体(ti)组件(jian);研(yan)(yan)发(fa)(fa)出第一(yi)根(gen)锗单晶、硅(gui)(gui)单晶、砷化镓单晶;制造出第一(yi)台硅(gui)(gui)单晶炉(lu)、区熔炉(lu)……取(qu)得(de)了一(yi)系列重大原创性成(cheng)果。共获(huo)得(de)国(guo)(guo)家级奖励近(jin)40项,黄昆院士荣获(huo)2001年度(du)国(guo)(guo)家最(zui)高科学技术奖。半(ban)导(dao)(dao)体(ti)所(suo)现已发(fa)(fa)展(zhan)成(cheng)为集半(ban)导(dao)(dao)体(ti)物理(li)、材料、器件(jian)及其系统(tong)集成(cheng)应用于一(yi)体(ti)的(de)国(guo)(guo)家级半(ban)导(dao)(dao)体(ti)科学技术的(de)综合性研(yan)(yan)究(jiu)机构。

回顾历史,令(ling)人鼓舞(wu);展望(wang)未来,任重道远。在(zai)此,我谨(jin)代表半导(dao)(dao)体所(suo)党政(zheng)领导(dao)(dao)班子和(he)(he)全(quan)体同志,向(xiang)长期以(yi)来关(guan)心(xin)和(he)(he)支持半导(dao)(dao)体所(suo)建(jian)设和(he)(he)发展的各(ge)级(ji)领导(dao)(dao)、海内外广大朋友和(he)(he)社会各(ge)界人士,致以(yi)诚挚的问(wen)候和(he)(he)衷心(xin)的感(gan)谢!

目前(qian)正值“十(shi)四(si)五”规划(hua)开局和(he)“率(lv)先(xian)行(xing)动计划(hua)”第二阶段起步时期,半导体(ti)所(suo)将(jiang)以习(xi)近平新时代中国(guo)特色社会(hui)主(zhu)义理论为(wei)指导,全面落实(shi)院(yuan)党组的(de)各项要求,牢记国(guo)家战略科技力(li)量的(de)使命与担当,把“四(si)个率(lv)先(xian)”和(he)“两加快(kuai)一努力(li)”作(zuo)(zuo)为(wei)一切工(gong)作(zuo)(zuo)的(de)出发点(dian)和(he)落脚(jiao)点(dian),抓住机遇,迎(ying)接(jie)挑(tiao)战,实(shi)现半导体(ti)所(suo)的(de)高质量发展,为(wei)半导体(ti)科技领域(yu)的(de)自立自强作(zuo)(zuo)出应有贡献!

衷心地欢迎和期待海内外半(ban)导(dao)体科学(xue)技术领域(yu)的精(jing)英(ying)访问、加盟半(ban)导(dao)体所!

感谢您(nin)对(dui)半导体所(suo)的关(guan)注和(he)支持。 

 

 

                                                                        海(hai)立方官网(wang)手机版研究所所长

                                                                                          谭平恒



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